Texas Instruments crea película de grafeno de 500 micrones

por | Mar 5, 2011 | Empresas | 0 Comentarios

Texas Instruments

Texas Instruments se prepara para la fabricación de la próxima generación de semiconductores. La empresa actualmente está perfeccionando un nuevo método de crear hojas de grafeno que eventualmente le permitirá producir más rápido productos electrónicos más pequeños y de menor potencia, basados en el carbono en lugar de silicio.

Texas Instruments demostró recientemente un método de hacer crecer cristales de grafeno hasta la mitad de un milímetro de diámetro, dicha tecnología fue desarrollada por la compañía en colaboración con el centro de investigación T.J. Watson de IBM, esta iniciativa corresponde a la Investigación de Nanoelectrónicos (NRI) y la Universidad de Texas y se basa en el uso de la deposición química de vapor de baja presión dentro de recintos de lámina de cobre, utilizando el metano como un precursor.

En la actualidad las películas resultantes de grafeno tienen que ser transferidas a silicio dopado monocristalino y a sustratos de silicio sobre aislante, pero ahora mismo se trabaja en el desarrollo de una manera de hacer crecer el grafeno directamente sobre sustratos dieléctricos.

Texas Instrument crea ahora la película de grafeno más grande, los anteriores desarrollos de la empresa midieron sólo de 10 a 20 micrones de tamaño, unos 30 veces menos que los dominios de 500 micrones que ha logrado construir ahora. “Esta investigación nos enseña mucho sobre los mecanismos fundamentales de crecimiento del grafeno,” dijo Luigi Colombo, asociado de Texas Instruments. Colombia dice: “Creemos que los resultados de este trabajo llevará los científicos e ingenieros a aumentar el tamaño del grafeno monocristalino y también mejorará las características eléctricas de los materiales”.

El grafeno es un alótropo bidimensional de carbono compuesto de una red hexagonal de átomos de carbono. Esto significa que el material tiene un espesor de sólo un átomo, allanando el camino para la fabricación de algunos de los transistores más pequeños posibles.

Sin embargo en la actualidad Intel e IBM acuerdan que el grafeno realmente en el corto plazo no reemplazará el silicio en la próxima generación de procesadores.

Vía: http://www.eetimes.com/electronics-news/4213741/TI-growing-large-area-graphene

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