Samsung presenta a "Barristor", transistor basado en Grafeno

por | May 20, 2012 | Empresas | 0 Comentarios

Samsung presenta a “Barristor”, transistor basado en Grafeno

En las últimas generaciones de procesadores las frecuencias base varían entre los 2 y 4 GHz, sin embargo, los chips desbloqueados alcanzan los 5 GHz y únicamente mediante técnicas avanzadas de overclocking con refrigeración mediante nitrógeno líquido pueden alcanzarse velocidades de 7 u 8 GHz.

Hoy en día dispositivos semiconductores consisten en miles de millones de transistores de silicio, para aumentar el rendimiento de los semiconductores las opciones han sido reducir tanto el tamaño de los transistores individuales para acortar la distancia de desplazamiento de electrones, como utilizar un material con mayor movilidad que permita una rápida velocidad de los electrones.

Durante los últimos 40 años, la industria ha ido aumentando el rendimiento al reducir el tamaño, ahora, los expertos creen que ahora estamos cerca de los límites potenciales de reducción, aunque productores como Intel investigan ya en procesos de fabricación de 5 nanómetros.

Otros fabricantes como Samsung apuestan por un futuro distinto con nuevos materiales y aquí entra el grafeno, de hecho las últimas investigaciones de las universidades británicas de Manchester y Cambridge, incluidos los premios nobel de física 2010, están trabajando en ello, para resolver uno de sus principales problemas, la poca capacidad de absorción de la luz visible del grafeno. Su combinación con estructuras metálicas minúsculas llamadas nanoestructuras plasmónicas incrementan la capacidad de absorción de luz del material unas veinte veces.

La investigación de Samsung apunta a esa dirección con la creación de los ‘barristores’, un transistor de grafeno que promete chips minúsculos de alta eficiencia y rendimiento, con frecuencias de trabajo increíbles para la industria actual de 300 GHz que es capaz de conmutar a frecuencias cercanas al Terahertz (Thz, o 1,000,000,000,000 de cambios de estado por segundo). El Barristor es básicamente un transistor, pero en lugar estar construido solamente con silicio se basa en una combinación de éste y grafeno. Según los voceros de la empresa, el dispositivo en cuestión podría ser clave para el desarrollo de microprocesadores capaces de operar a cientos de GHz o, incluso, superar la barrera del THz en los próximos años.

Samsung no estará solo, ya que Intel o IBM están realizando investigaciones con el grafeno como protagonista aunque se desconoce si terminarán (y cuando) convirtiéndose en productos comerciales.

Para detener este flujo de electrones, el equipo del Instituto de Electrónica Avanzada de Samsung ha desarrollado lo que se conoce como barrera Schottky pero usando silicio y grafeno para controlar la barrera que evita esta corriente espúrea, un principio que han plasmado en 9 patentes que definen el método de operación del Barristor y su estructura.

¿Y ahora qué? Samsung ha construido una puerta lógica básica para demostrar que el Barristor funciona correctamente y es capaz de funcionar a altas frecuencias de trabajo, abriendo la puerta al desarrollo de potentes microprocesadores que podrían superar la centena de GHz o llegar al THz en el futuro.

Vía: http://www.muycomputerpro.com/2012/05/19/microprocesadores-samsung-grafeno-300-ghz/

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