Físicos y Científicos de todo el mundo trabajan en el desarrollo de métodos para incluir el grafeno dentro de la próxima generación electrónica

por | Ene 21, 2011 | Noticias | 0 Comentarios

Los físicos y científicos de materiales de todo el mundo están trabajando actualmente en el desarrollo de métodos para incluir el grafeno dentro de la próxima generación electrónica sin causar el material a perder sus famosas propiedades físicas y químicas. El esfuerzo será seguramente muy difícil, dicen los expertos.

Las razones del por qué tantos expertos de electrónica aprecian el grafeno es su manera de administrar el flujo de electrones que componen la electricidad. El material incluye una estructura recta, plana, 2D, lo que permite que electrones se muevan a través de ella a velocidades de hasta 100 veces más altas que las alcanzables en silicio.

Como tal, los ingenieros dicen que el grafeno es muy prometedor para la electrónica. Pero utilizar el compuesto de carbono en este tipo de aplicaciones no es tan fácil como parecería en primer lugar. Aparentemente, al Grafeno no le gusta jugar en equipo.

Los científicos de US National Institute of Standards and Technology (NIST) dicen que el material comienza a experimentar una reducción en la cantidad de electrones que puede transportar el momento que está colocado en dispositivos y entre las capas de otros materiales.

Las razones del por qué esto sucede es porque las imperfecciones de la manera en que los materiales se ponen juntos están causando enormes valles y colinas empinadas en la superficie del grafeno. A su vez, esto impide la fluidez de los electrones desde una zona del grafeno a la otra.

Pero es precisamente este obstáculo que podría hacer que el nuevo material sea un candidato ideal para sondear las interacciones entre los conductores eléctricos y aislantes, escriben los expertos NIST en el último número de la revista científica Nature Materials.

Estos estudios podrían realizarse utilizando una técnica de las observaciones que se llama microscopía de efecto túnel (STM), dice el NIST Fellow Joseph Stroscio. Él añade que los investigadores deben aislar el material de su medio ambiente, si quieren utilizarlo totalmente.

“Para obtener el máximo beneficio del grafeno, tenemos que entender plenamente cómo cambian las propiedades del grafeno cuando se coloca en las condiciones del mundo real, como parte de un dispositivo que está en contacto con otros tipos de materiales”, explica Stroscio.

“Lo que hemos encontrado [en los estudios STM] es que las variaciones en el potencial eléctrico del sustrato aislante interrumpen las órbitas de los electrones en el grafeno, creando pozos donde se acumulan los electrones y reducen su movilidad”, dice Nikolai Zhitenev, también un científico de NIST.

Los estudios, sin duda, descubrirán un modo de suavizar el grafeno dentro de futuros dispositivos electrónicos, ya que la ciencia simplemente no puede permitirse no hacer uso de este material. El grafeno fue descubierto en 2005 por unos expertos de la Universidad de Manchester, en el Reino Unido.

Vía:

http://news.softpedia.com/es/Tratando-de-eliminar-los-bultos-de-dispositivos-basados-en-el-grafeno-179810.html

http://www.eurekalert.org/pub_releases/2011-01/nios-rgd012011.php

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