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Wlodzimierz Strupinski

Descubren nuevo método para producir Grafeno a través de la epitaxia:

La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados.

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.

Hay varios métodos en la fabricación de circuitos integrados:

1. Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE).
2. Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE).
3. Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
4. Química metalorgánica por deposición a vapor (MOCVD)

Recientemente el Dr. Wlodzimierz Strupinski del Instituto de Tecnología Electrónica de Materiales dice que ha desarrollado un método eficiente y económico para producir grafeno utilizando equipos disponibles comercialmente.

El nuevo método se basa en la cristalización de carbono de una fuente externa, lo que significa que el carbono se estableció en la forma de una capa de un átomo o dos de espesor en la superficie. Eso es una adaptación de un proceso ya existente llamado epitaxia, que puede conducir a la producción a escala comercial.

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